财联社6月11日讯(编辑刘越)存储巨头SK海力士周四宣布，已开始量产238层4DNAND闪存，并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。238层NAND闪存作为世界上最小体积的芯片，生产效率比上一代的176层提升了34%，成本竞争力得到了大幅改善。此产品的数据传输速度为每秒2.4Gb(千兆比特)，比上一代的速度快50%。
大数据时代，算力等各种需求仍将不断刺激存储市场增长。据Yole预测，从2021到2027年，DRAM将以9%的年均增长率增长，2027年市场规模将达到1585亿美元，NANDFlash将以6%的复合增长率增长，市场规模将达到960亿美元。整个存储业的复合年均增长率预计为8%。国信证券分析师胡剑等3月27日发布的研报指出，NAND主要应用于存储端和手机端。据IDC统计，应用于存储器的NAND占比57.1%，应用于手机端的NAND占比30.6%。
胡剑指出，大模型训练产生海量数据存储需求，3DNAND需求提升，随着算力的不断进步，所需存储的数据量在以指数级的增长速度攀升。存储单元在水平方向上变得不易持续，尺寸微缩不再能够满足存储器的成本需求，垂直堆叠存储单元的3DNAND逐渐成为市场主流。浙商证券分析师陈抗等4月3日发布的研报指出，3DNAND是低成本/大容量非易失存储的主流技术方案，是先进存力的前进方向之一。
中泰证券分析师王芳等5月22日发布的研报指出，2D到3D大势所趋。2019年，3DNAND的渗透率为72.6%，已远超2DNAND，且未来仍将持续提高，预计2025年3DNAND将占闪存总市场的97.5%。
中微公司在互动平台表示，在3DNAND芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备可应用于64层和128层的量产，同时公司根据存储器客户的需求正在开发验证新一代设备。
国科微在互动平台表示，公司自研的固态硬盘控制器芯片，属于微处理器和逻辑集成电路的范畴，主要用于后端控制2.5/3DNAND存储颗粒，前端符合SATA等类型的接口规范要求。
东芯股份在互动平台表示，与2DNAND相比，3DNAND可以通过将存储单位进行多层堆叠的设计方式，在相同的产品体积下，堆叠内存能够实现数倍于传统内存的存储容量，公司在3DNAND方面具有相应的技术储备。
德明利在互动平台表示，我国的长江存储(YMTC)经过多年的研发和设备投入，已逐步开始量产并向市场供应NANDFlash芯片产品，从根本上打破了NANDFlash芯片长期由境外厂商垄断的市场格局，公司于2020年11月成为长江存储(YMTC)Xtacking3DNAND金牌生态合作伙伴，并开始批量采购和产品验证，有望尽快实现移动存储产品从晶圆到闪存主控芯片的100%国产化大规模替代。
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